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      電導(dǎo)率基本理論

      放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2013-09-05  來源:實(shí)驗(yàn)室資訊網(wǎng)
      核心提示:電導(dǎo)率是溶液導(dǎo)電的能力。儀表測(cè)電導(dǎo)的原理很簡(jiǎn)單,在樣品溶液內(nèi)放入兩個(gè)盤片(電導(dǎo)片),在兩個(gè)盤片上加一個(gè)電壓就能測(cè)出電流。一
       電導(dǎo)率是溶液導(dǎo)電的能力。儀表測(cè)電導(dǎo)的原理很簡(jiǎn)單,在樣品溶液內(nèi)放入兩個(gè)盤片(電導(dǎo)片),在兩個(gè)盤片上加一個(gè)電壓就能測(cè)出電流。一般來說,電壓是正弦波形式的。電導(dǎo)率是由歐姆公式根據(jù)電壓和電流值確定的:
       
      由于溶液內(nèi)離子的電荷有助于導(dǎo)電,因此溶液的電導(dǎo)率和其離子濃度成正比。
      注:有些溶液的電導(dǎo)率可能同濃度沒有直接關(guān)聯(lián);離子間的相互作用可改變電導(dǎo)率和濃度之間的線性關(guān)系,在一些如硫酸之類的高濃度溶液內(nèi)尤其如此。
          電導(dǎo)測(cè)量的基本單位是S I EMENS(S)。由于電導(dǎo)片的幾何形狀會(huì)影響到電導(dǎo)值,所以標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)量是用特定的電導(dǎo)單位(S/cm)來補(bǔ)償電極尺寸的不同。對(duì)多數(shù)溶液來說,這一測(cè)量單位太大,因此一般用μS或mS。對(duì)應(yīng)于具體電阻系數(shù)(R=1/C)的單位是ohm-cm,Khm-cm和Mohm-cm。一般情況下,超純水用戶傾向于使用Mohm-cm或Khm-cm,因?yàn)檫@一級(jí)別的單位可以將測(cè)量尺度拉伸到他們感興趣的測(cè)量范圍內(nèi)。在這些測(cè)量場(chǎng)合下,電導(dǎo)率和雜質(zhì)幾乎成直接的關(guān)系,低濃度下尤其如此,因此電導(dǎo)讀數(shù)上升表明溶液內(nèi)雜質(zhì)也在上升。電導(dǎo)率測(cè)量的弱點(diǎn)是因?yàn)椴皇翘囟x子濃度的測(cè)量,無法將各種不同的離子區(qū)分開,而讀數(shù)是和被測(cè)溶液內(nèi)所有離子的總和成正比的。
          多數(shù)的電導(dǎo)電極只有2個(gè)盤片,通常由鉑金或碳(石墨)做成。4盤片(牛眼式)設(shè)計(jì)可使測(cè)純水時(shí)精度更高。
      用途
          由于電導(dǎo)率在多數(shù)情況下和溶液內(nèi)離子的濃度成正比,因此通過測(cè)電導(dǎo)很容易確定溶液內(nèi)總的溶解固體的濃度及溶液的鹽度。常見的應(yīng)用場(chǎng)合為:
      鍋爐排污
      脫鹽作用
      逆滲透
      鹽度測(cè)量
      水/廢水處理
      電導(dǎo)片
          每一支電導(dǎo)電極的電導(dǎo)片都有具體的電導(dǎo)常量(K),用來確定電導(dǎo)率(C)。
      C=電導(dǎo)率讀數(shù)×電導(dǎo)常量(K)
          電導(dǎo)常量(K)是電極間距除以電極面積后的數(shù)值,因此,一立方厘米液體的電導(dǎo)常量為:
       
      溫度補(bǔ)償
          所有的電導(dǎo)測(cè)量都受溫度影響,影響的程度各溶液不盡相同,可以通過電極內(nèi)的熱敏電阻和溫補(bǔ)儀表進(jìn)行補(bǔ)償。
      電導(dǎo)儀表的校正和電導(dǎo)池的保養(yǎng)
          電導(dǎo)儀表和電導(dǎo)池應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)溶液內(nèi)校正。選擇標(biāo)準(zhǔn)溶液很重要,必須選擇和待測(cè)溶液電導(dǎo)率類似的標(biāo)準(zhǔn)液,為了確保正確操作,最好再選另一標(biāo)準(zhǔn)液來準(zhǔn)確標(biāo)定。
      一些常見溶液的電導(dǎo)率如下:
       
      已極化或弄臟的電極必須進(jìn)行清洗恢復(fù)其電導(dǎo)池的活性表面,加溫的洗滌劑水可有效清洗,丙酮可輕易清除多數(shù)的有機(jī)物,次氯酸溶液可清除藻類、細(xì)菌或霉菌。為防止電導(dǎo)池受損,不可用磨損性或尖銳物體清洗電極,棉花球也可用于清洗。
      編輯:songjiajie2010

       
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